SK海力士強勢出擊
2017-10-26 14:21:17
在內存與存儲器市場方面，SK海力士表現的非常“豪氣”，直接出資86.1億美元進行3D NAND Flash以及DRAM擴產，似乎是因為市場趨勢一片大好，SK海力士將兩廠擴產竣工的時間直接縮短至明年第四季度。
據了解，這次SK海力士擴產主要用于技術升級，產能最多提升3%-5%，相對于美光來說，這更像是一場新技術研發速度的比賽，畢竟美光剛建設新廠不久，兩者建設新廠的目的似乎不謀而合。
在產品研發上，SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片，并于4月再次推出AI、VR以及自動駕駛等顯示器專用的超高繪圖存儲器DRAM–Graphics DDR6。
在NAND Flash 產品方面，美光成功開發出72層堆疊芯片，相比于上一代48層堆疊芯片，其運行速度提升2倍，讀寫性能提升了20%，生產效能也增長了30%，目前已經開始量產。
總結：
在NAND Flash以及DRAM市場漲潮不斷的情況下，三星電子、美光科技以及SK海力士等三大巨頭并未滿足于現狀，而是不斷研發全新產品。在這場角逐中，或許他們三者都是贏家。
本文關鍵詞：
NAND Flash DRAM
相關文章：
美光建設新廠 研發全新技術
深圳市英尚微電子有限公司，十年來專業致力代理分銷存儲器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性價比更高的產品及方案。
了解更多關于存儲芯片知識，請關注英尚微電子：http://m.xinjiangwei888.com
