晶圓代工四強近況如何？
2017-09-20 14:28:31
在英特爾宣布正式進入ARM芯片代工市場，并為展訊代工了14nm八核X86架構的64位LTE芯片平臺SC9861G-IA后，另一IDM模式巨擘三星于日前宣布將建立一個獨立的代工或合同芯片制造業務部門，增強代工業務。全球排名前兩位的半導體廠商對晶圓代工市場展現出了巨大的興趣，那么格羅方德、臺積電、聯電及中芯國際等純晶圓代工市場上的四大巨頭又在做什么呢？
臺積電
在晶圓代工范疇，臺積電是名副其實的龍頭老大，也是英特爾和三星在代工市場上最強勁的對手。除了10nm制程工藝用于今年iPhone 8的A11芯片外，前段時間有報道稱，臺積電目前已經在測試尖端7nm芯片產品，并且會在2018年量產，并將在一年后再投產EUV極紫外光刻技術加持的新版7nm。而臺積電5nm將會在2019年試產，主打移動設備和高性能計算。
在臺積電技術論壇上，臺積電首次透露了研發多年的eRRAM（嵌入式電阻式內存）和eMRAM（嵌入式磁阻式隨機存取內存）將分別在明后年進行風險性試產，主要采用22nm制程。
格羅方德
在三星和臺積電就10nm制程工藝拼個你死我活的時候，格羅方德卻毅然決定跳過10nm直攻7nm制程。雖然沒有對10nm“出手”，但格羅方德在去年推出了12nm FD-SOI工藝， 與16nm FinFET工藝對比，12nm制程能夠將功耗降低50%，性能提升15%，掩膜成本較10nm降低40%。不過根據早前格羅方德透露的信息，全新的12nm FD-SOI工藝在2019年才能投入量產。
雖然制程工藝進步的腳步趕不上臺積電，但近日一則關于全球首款5nm芯片的消息中，卻出現了格羅方德的身影。IBM日前宣布，與三星、格羅方德組成的聯盟已經成功開發出業界第一個全新的硅納米片晶體管，為實現5nm工藝奠定了基礎。
此外，格羅方德與成都市合作成立的合資公司格芯已經展開建設工作，預計將于2018年年初竣工。完工后，該晶圓廠將率先投入主流工藝的生產，進而專注于22FDX的制造，預計將于2019年開始實現量產。
聯電
聯電雖然貴為臺灣晶圓代工雙雄，但在晶圓代工市場上遠不如臺積電活躍。今年年初時，公司宣布了其自主研發的14nm FinFET工藝，已成功進入客戶芯片量產階段，并且良率已達先進制程的業界競爭水準。在成功量產14nm后，聯電也啟動了廈門子公司聯芯的28nm制程量產計劃，目標為大陸快速成長的中低端手機芯片市場。
中芯國際
中芯國際作為大陸晶圓代工一哥，已經開始量產28nm PolySiON工藝，而對于更高級并將扮演更重要角色的28nm HKMG，中芯國際曾透露，對于HKMG平臺，今年將積極導入設備與試產，最快第三季準備好產能，預期今年“會持續成長，但貢獻度有限”。
新任CEO趙海軍也表示過，中芯將陸續投入28nm新平臺與14nm研發的推進，預計2019年14nm投入試產。
另外，中芯國際也開始啟動了7nm制程工藝的研發，并與北方華創、中微建立了長期合作關系。
本文關鍵詞：
存儲芯片
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