MRAM制造商Everspin希望能將256Mbit DDR3 ST-MRAM器件以及即將推出的1Gbit ST-MRAM集成到Xilinx UltraScale FPGA板卡上。本月初推出一個適用于Vivado MIG（存儲器接口發生器）的全新軟件腳本，使MIG DDR3控制器能完美適配ST-MRAM的時序以及控制要求。Everspin已有十年基于MRAM開發產品的經驗，根據Dylan McGrath在EETimes.com發布的文章，Everspin目前仍然是唯一經營商業MRAM器件的公司。
 

非易失性MRAM不同于閃存，它沒有損壞故障。這種特性使得MRAM在諸如服務器級企業存儲等應用中比閃存具有巨大的優勢。基于MRAM的存儲卡不易耗損，并且它的讀/寫性能不會隨著時間而降級，該功能遠優于基于閃存的SSDs。
 
基于UltraScale FPGA板卡的NVMe存儲加速卡：
 前段時間，Everspin發布了nvNITRO系列的NVMe存儲加速卡。加速卡上集成了1Gbyte nvNITRO ES1GB和2Gbyte nvNITRO ES2GB，可提供1,500,000 IOPS，6μ秒的端到端延遲。當Everspin的1Gbit ST-MRAM板卡在去年年末上市時，板卡容量已經能增長到4到16G字節。(圖1：Everspin nvNITRO 存儲加速器)
 
去年在鹽湖城舉辦的SC16會議的展覽中曾經展示過該板卡。 （參見“Everspin的NVMe存儲加速器（基于MRAM和UltraScale FPGA），提供1.5M IOPS。”）
 
Everspin nvNITRO 存儲加速器的硬件平臺是Alpha Data ADM-PCIE-KU3 PCIe加速卡，集成1或2Gbyte Everspin ST-MRAM DIMM。Everspin已經在基于Kintex UltraScale KU060 FPGA的Alpha數據卡中添加了自己的IP，并設計了基于MRAM的NVMe控制器。
 
Alpha Data公司的設計人員在設計ADM-PCIE-KU3 PCIe加速卡時，并沒有設計基于MRAM的存儲加速器，但是他們使用先進的Xilinx UltraScale FPGA實現了他們的設計，使得該設計具有了靈活的可編程性。Everspin通過利用這種內置的靈活性，發布了一個全新獨特的基于Xilinx UltraScale FPGA以及RAM的NVMe存儲產品。
 
總結：
 本次，Everspin公司將Xilinx UltraScale FPGA和MRAM結合，發布了全新的具有高靈活性、低損耗等多種優勢的產品，又一次刷新了設計者的認知。將賽靈思FPGA與各類性能極佳的器件結合組成全新高性能的產品，又成為了設計者的一個方向。相信電子時代的發展會有越來越多的卓越產品涌現，讓我們拭目以待。

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